SI3459BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
NOVA-Teilenummer:
312-2290265-SI3459BDV-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI3459BDV-T1-E3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 60 V 2.9A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 6-TSOP
Basisproduktnummer SI3459
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 216mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Max)±20V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 350 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.) 3.3W (Tc)
Andere NamenSI3459BDV-T1-E3CT
SI3459BDV-T1-E3TR
SI3459BDV-T1-E3DKR
SI3459BDV-T1-E3-ND

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