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N-Channel 1200 V 18.4A (Tc) 166.7W (Tc) Through Hole TO-247-4
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | UnitedSiC | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-4 | |
Basisproduktnummer | UF3C120150 | |
Technologie | SiCFET (Cascode SiCJFET) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18.4A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 12V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 12V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25.7 nC @ 12 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-247-4 | |
Vgs (Max) | ±25V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 738 pF @ 100 V | |
Verlustleistung (max.) | 166.7W (Tc) | |
Andere Namen | 2312-UF3C120150K4S |
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