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- 750 V - - Through Hole TO-247-4
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | - | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-4 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | G3R™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | - | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-247-4 | |
Vgs (Max) | - | |
FET-Typ | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 750 V | |
Verlustleistung (max.) | - | |
Andere Namen | 1242-G3R60MT07K |
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