SI2305CDS-T1-GE3

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MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

NOVA-Teilenummer:

312-2282008-SI2305CDS-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI2305CDS-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 8 V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Basisproduktnummer	SI2305
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	5.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 8 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max)	±8V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	960 pF @ 4 V
Verlustleistung (max.)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Andere Namen	SI2305CDS-T1-GE3DKR SI2305CDST1GE3 SI2305CDS-T1-GE3TR SI2305CDS-T1-GE3-ND SI2305CDS-T1-GE3CT