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N-Channel 40 V 5.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
Basisproduktnummer | SI2318 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchFET® | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.6A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 4.3A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 340 pF @ 20 V | |
Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) | |
Andere Namen | SI2318CDS-T1-GE3TR SI2318CDS-T1-GE3CT SI2318CDST1GE3 SI2318CDS-T1-GE3DKR |
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