SQM60030E

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SQM60030E_GE3

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

NOVA-Teilenummer:

312-2288988-SQM60030E_GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SQM60030E_GE3

Standardpaket:

800

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	D²PAK (TO-263)
Basisproduktnummer	SQM60030
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	165 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	12000 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Andere Namen	SQM60030E_GE3DKR SQM60030E_GE3TR SQM60030E_GE3CT