SIJ482DP-T1-GE3

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MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

NOVA-Teilenummer:

312-2288112-SIJ482DP-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIJ482DP-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 80 V 60A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer	SIJ482
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	71 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2425 pF @ 40 V
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 69.4W (Tc)
Andere Namen	SIJ482DP-T1-GE3DKR SIJ482DP-T1-GE3DKRINACTIVE SIJ482DP-T1-GE3TR SIJ482DP-T1-GE3CT SIJ482DP-T1-GE3DKR-ND SIJ482DPT1GE3