SIR664DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2287793-SIR664DP-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIR664DP-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 60 V 60A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer SIR664
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferPowerPAK® SO-8
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1750 pF @ 30 V
Andere NamenSIR664DP-T1-GE3TR
SIR664DP-T1-GE3CT
SIR664DP-T1-GE3DKR

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