SI2304BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2281879-SI2304BDS-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI2304BDS-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 30 V 2.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Basisproduktnummer SI2304
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 5 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 225 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Andere NamenSI2304BDS-T1-GE3CT
SI2304BDS-T1-GE3DKR
SI2304BDST1GE3
SI2304BDS-T1-GE3TR

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Whatsapp

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!