SI2347DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2281503-SI2347DS-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI2347DS-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 30 V 5A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Basisproduktnummer SI2347
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max)±20V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 705 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.) 1.7W (Tc)
Andere NamenSI2347DS-T1-GE3CT
SI2347DS-T1-GE3DKR
SI2347DS-T1-GE3TR
SI2347DS-T1-GE3-ND

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