MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3Auf LagerRoHS / Konformität

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SI2318DS-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Serie
TrenchFET®
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerVishay Siliconix
Note-
SerieTrenchFET®
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusObsolete
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
BasisproduktnummerSI2318
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max)750mW (Ta)
Lieferanten-GerätepaketSOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds540 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Gehäuse
-
MSL
-

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