SIA483DJ-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

NOVA-Teilenummer:

312-2280345-SIA483DJ-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIA483DJ-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6
Basisproduktnummer	SIA483
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1550 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Andere Namen	SIA483DJ-T1-GE3TR SIA483DJT1GE3 SIA483DJ-T1-GE3CT SIA483DJ-T1-GE3DKR