Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
P-Channel 30 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 6-UDFNB (2x2) | |
Basisproduktnummer | SSM6J507 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | U-MOSVI | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 4A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4 nC @ 4.5 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | 6-WDFN Exposed Pad | |
Vgs (Max) | +20V, -25V | |
FET-Typ | P-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1150 pF @ 15 V | |
Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta) | |
Andere Namen | SSM6J507NU,LF(T SSM6J507NU,LF(B SSM6J507NULFTR SSM6J507NULFDKR SSM6J507NULFCT |
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.