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Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | V-DFN5045-12 | |
Basisproduktnummer | DMHC10 | |
Paket/Koffer | 12-VDFN Exposed Pad | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.9A, 2.3A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V | |
FET-Funktion | Standard | |
FET-Typ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1167pF @ 25V | |
Leistung max | 2.1W | |
Andere Namen | DMHC10H170SFJ-13DICT DMHC10H170SFJ-13DITR DMHC10H170SFJ-13DIDKR |
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