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Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SO
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-SO | |
Basisproduktnummer | ZXMHC6A07 | |
Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.39A, 1.28A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.8A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 10V | |
FET-Funktion | Logic Level Gate | |
FET-Typ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 166pF @ 40V | |
Leistung max | 870mW | |
Andere Namen | ZXMHC6A07N8DIDKR ZXMHC6A07N8DICT ZXMHC6A07N8DITR |
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