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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SSM | |
Basisproduktnummer | RN1107 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
Häufigkeit – Übergang | 250 MHz | |
Paket/Koffer | SC-75, SOT-416 | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased | |
Leistung max | 100 mW | |
Andere Namen | RN1107T5LFT RN1107LF(CTCTINACTIVE RN1107LF(CBTR RN1107LF(CBDKR-ND RN1107LF(CTDKRINACTIVE RN1107LF(CTCT RN1107(T5LFT)DKR RN1107(T5LFT)CT RN1107LF(CBCT-ND RN1107LF(CTTRINACTIVE RN1107LF(CTDKR RN1107LF(CBDKR RN1107(T5L,F,T) RN1107,LF(CB RN1107LF(CTTR RN1107LF(CBCT RN1107(T5LFT)TR RN1107LF(CBTR-ND RN1107(T5LFT)CT-ND RN1107(T5LFT)TR-ND RN1107(T5LFT)DKR-ND |
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