RN1107,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
NOVA-Teilenummer:
304-2062714-RN1107,LF(CT
Hersteller-Teile-Nr:
RN1107,LF(CT
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

More Information
KategorieTransistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten SSM
Basisproduktnummer RN1107
Serie-
Widerstand - Basis (R1)10 kOhms
Widerstand – Emitterbasis (R2)47 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Häufigkeit – Übergang250 MHz
Paket/KofferSC-75, SOT-416
Strom – Kollektorabschaltung (max.)500nA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)50 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA
TransistortypNPN - Pre-Biased
Leistung max 100 mW
Andere NamenRN1107T5LFT
RN1107LF(CTCTINACTIVE
RN1107LF(CBTR
RN1107LF(CBDKR-ND
RN1107LF(CTDKRINACTIVE
RN1107LF(CTCT
RN1107(T5LFT)DKR
RN1107(T5LFT)CT
RN1107LF(CBCT-ND
RN1107LF(CTTRINACTIVE
RN1107LF(CTDKR
RN1107LF(CBDKR
RN1107(T5L,F,T)
RN1107,LF(CB
RN1107LF(CTTR
RN1107LF(CBCT
RN1107(T5LFT)TR
RN1107LF(CBTR-ND
RN1107(T5LFT)CT-ND
RN1107(T5LFT)TR-ND
RN1107(T5LFT)DKR-ND

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Whatsapp

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.