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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SOT-883
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Nexperia USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SOT-883 | |
Basisproduktnummer | PDTC114 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA | |
Paket/Koffer | SC-101, SOT-883 | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 1µA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased | |
Leistung max | 250 mW | |
Andere Namen | PDTC114YM T/R 2156-PDTC114YM,315-NEX PDTC114YM T/R-ND 934057172315 NEXNEXPDTC114YM,315 |
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