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Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA - 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-39 (TO-205AD) | |
Basisproduktnummer | 2N2219 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | |
Häufigkeit – Übergang | - | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 10nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 800 mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 800 mW | |
Andere Namen | 2N2219AMS |
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