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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 300MHz 800 mW Through Hole TO-39
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
Hersteller | Central Semiconductor Corp | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-39 | |
Serie | - | |
Paket/Koffer | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | |
Häufigkeit – Übergang | 300MHz | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 10nA (ICBO) | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 40 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 800 mA | |
Transistortyp | NPN | |
Leistung max | 800 mW | |
Andere Namen | 2N2219ACS-ND 1514-2N2219APBFREE 2N2219ACS |
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