FII30-12E

IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
НОВА часть #:
305-2345170-FII30-12E
Производитель:
Номер детали производителя:
FII30-12E
Стандартный пакет:
24
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

IGBT Array NPT Half Bridge 1200 V 33 A 150 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

More Information
КатегорияТранзисторы - БТИЗ - Массивы
ПроизводительIXYS
RoHS 1
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияThrough Hole
Пакет устройств поставщика ISOPLUS i4-PAC™
ВходСтандартный
КонфигурацияHalf Bridge
Ток — отсечка коллектора (макс.)200 µA
Входная емкость (Cies) при Vce 1.2 nF @ 25 V
Термистор NTCNo
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.)1200 V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 33 A
Ряд-
Пакет/кейсi4-Pac™-5
Тип БТИЗNPT
Vce(on) (Макс.) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 20A
Мощность - Макс. 150 W

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.