SQ2362ES-T1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SQ2362ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3

НОВА часть #:

312-2280918-SQ2362ES-T1_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQ2362ES-T1_GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 4.3A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3 (TO-236)
Базовый номер продукта	SQ2362
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	4.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	550 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3W (Tc)
Другие имена	SQ2362ES-T1-GE3 SQ2362ES-T1_GE3-ND SQ2362ES-T1_GE3CT SQ2362ES-T1_GE3TR SQ2362ES-T1_GE3DKR