DMT10H015LSS-13

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

НОВА часть #:

312-2287700-DMT10H015LSS-13

Производитель:

Номер детали производителя:

DMT10H015LSS-13

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 8.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SO
Базовый номер продукта	DMT10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	33.3 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1871 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.2W (Ta)
Другие имена	DMT10H015LSS-13DICT DMT10H015LSS-13DITR DMT10H015LSS-13DIDKR