SISS72DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK

НОВА часть #:

312-2288121-SISS72DN-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SISS72DN-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 150 V 7A (Ta), 25.5A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8S
Базовый номер продукта	SISS72
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	7A (Ta), 25.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® 1212-8S
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	550 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Другие имена	SISS72DN-T1-GE3CT SISS72DN-T1-GE3DKR SISS72DN-T1-GE3TR