SI1401EDH-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6

НОВА часть #:

312-2285048-SI1401EDH-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI1401EDH-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 12 V 4A (Tc) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SC-70-6
Базовый номер продукта	SI1401
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	4A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	36 nC @ 8 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
VGS (макс.)	±10V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	12 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Другие имена	SI1401EDH-T1-GE3DKR SI1401EDH-T1-GE3TR SI1401EDHT1GE3 SI1401EDH-T1-GE3CT