DMTH10H1M7STLWQ-13

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

НОВА часть #:

312-2298218-DMTH10H1M7STLWQ-13

Производитель:

Номер детали производителя:

DMTH10H1M7STLWQ-13

Стандартный пакет:

1,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 250A (Tc) 6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount POWERDI1012-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	POWERDI1012-8
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	250A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	147 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerSFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	9871 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	6W (Ta), 250W (Tc)
Другие имена	31-DMTH10H1M7STLWQ-13CT 31-DMTH10H1M7STLWQ-13DKR 31-DMTH10H1M7STLWQ-13TR