IPD60R600C6ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

НОВА часть #:

312-2282405-IPD60R600C6ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPD60R600C6ATMA1

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Базовый номер продукта	IPD60R600
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™ C6
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	7.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	20.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	600 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	440 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	63W (Tc)
Другие имена	INFINFIPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1-ND IPD60R600C6ATMA1TR SP001117726 IPD60R600C6ATMA1DKR IPD60R600C6ATMA1CT 2156-IPD60R600C6ATMA1