IRL60HS118

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN

НОВА часть #:

312-2287786-IRL60HS118

Производитель:

Номер детали производителя:

IRL60HS118

Стандартный пакет:

4,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 18.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-PQFN (2x2)
Базовый номер продукта	IRL60HS118
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	18.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.3V @ 10µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	8 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	6-VDFN Exposed Pad
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	660 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	11.5W (Tc)
Другие имена	IRL60HS118DKR IRL60HS118TR SP001592258 IRL60HS118CT