BSC123N08NS3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON

НОВА часть #:

312-2282245-BSC123N08NS3GATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSC123N08NS3GATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-1
Базовый номер продукта	BSC123
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	11A (Ta), 55A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 33µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1870 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 66W (Tc)
Другие имена	BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC123N08NS3 GTR-ND BSC123N08NS3GATMA1TR BSC123N08NS3 GTR BSC123N08NS3G BSC123N08NS3 GDKR BSC123N08NS3 GCT-ND BSC123N08NS3 G-ND BSC123N08NS3 GCT BSC123N08NS3 G BSC123N08NS3GATMA1CT BSC123N08NS3 GDKR-ND BSC123N08NS3GATMA1DKR-NDTR-ND SP000443916 BSC123N08NS3GATMA1DKR