Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
BUK9E4R4-80E,127
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
НОВА часть #:
312-2344887-BUK9E4R4-80E,127
Производитель:
Номер детали производителя:
BUK9E4R4-80E,127
Стандартный пакет:
50
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 80 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | I2PAK | |
| Базовый номер продукта | BUK9 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 123 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 17130 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 349W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-BUK9E4R4-80E127-NX NEXNXPBUK9E4R4-80E,127 568-9875-5 934066515127 BUK9E4R480E127 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.