NTR2101PT1G

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 8V SOT23-3

НОВА часть #:

312-2284813-NTR2101PT1G

Производитель:

Номер детали производителя:

NTR2101PT1G

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 8 V 3.7A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3 (TO-236)
Базовый номер продукта	NTR2101
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	8 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1173 pF @ 4 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	960mW (Ta)
Другие имена	NTR2101PT1GOSDKR ONSONSNTR2101PT1G 2156-NTR2101PT1G-OS NTR2101PT1GOSTR NTR2101PT1GOSCT