SUD19P06-60-E3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252

НОВА часть #:

312-2287833-SUD19P06-60-E3

Производитель:

Номер детали производителя:

SUD19P06-60-E3

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	SUD19
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	18.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1710 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Другие имена	SUD19P06-60-E3CT SUD19P06-60-E3DKR SUD19P06-60-E3TR SUD19P06-60-E3-ND