IRF5210LPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 100V 38A TO262

НОВА часть #:

312-2289053-IRF5210LPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRF5210LPBF

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-262
Базовый номер продукта	IRF5210
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	38A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	230 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2780 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.1W (Ta), 170W (Tc)
Другие имена	SP001564364