Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
Производитель | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
Базовый номер продукта | SQ2310 | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Ряд | TrenchFET® | |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6A (Tc) | |
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V | |
Полевой транзистор | - | |
Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
VGS (макс.) | ±8V | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 485 pF @ 10 V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Tc) | |
Другие имена | SQ2310ES-T1-GE3DKR SQ2310ES-T1-GE3DKR-ND SQ2310ES-T1-GE3 SQ2310ES-T1_GE3TR SQ2310ES-T1_GE3DKR SQ2310ES-T1-GE3TR SQ2310ES-T1-GE3TR-ND SQ2310ES-T1-GE3CT SQ2310ES-T1_GE3CT SQ2310ES-T1-GE3CT-ND |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.