Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
TPN22006NH,LQ
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
НОВА часть #:
312-2290205-TPN22006NH,LQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TPN22006NH,LQ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 60 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | TPN22006 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 100µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 710 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 700mW (Ta), 18W (Tc) | |
| Другие имена | TPN22006NHLQDKR TPN22006NHLQCT TPN22006NHLQTR TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
NVTFS5824NLTAGFairchild Semiconductor
BUK7M42-60EXNexperia USA Inc.
