SQS415ENW-T1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

НОВА часть #:

312-2282634-SQS415ENW-T1_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQS415ENW-T1_GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8W
Базовый номер продукта	SQS415
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	16A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® 1212-8W
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4825 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	62.5W (Tc)
Другие имена	SQS415ENW-T1_GE3TR SQS415ENW-T1_GE3CT SQS415ENW-T1_GE3DKR