IPD90P03P4L04ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

НОВА часть #:

312-2282214-IPD90P03P4L04ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPD90P03P4L04ATMA1

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 30 V 90A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3-11
Базовый номер продукта	IPD90P03
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	90A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 253µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	+5V, -16V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	11300 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	137W (Tc)
Другие имена	SP000396300 IPD90P03P4L-04 IPD90P03P4L-04INTR-ND IPD90P03P4L-04INTR IPD90P03P4L04ATMA1TR IPD90P03P4L-04INCT-ND IPD90P03P4L04 IPD90P03P4L-04INDKR-ND IPD90P03P4L-04INDKR IPD90P03P4L-04-ND IPD90P03P4L-04INCT IPD90P03P4L04ATMA1CT IPD90P03P4L04ATMA1DKR