SQJA36EP-T1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SQJA36EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

НОВА часть #:

312-2288113-SQJA36EP-T1_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQJA36EP-T1_GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 40 V 350A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта	SQJA36
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	350A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.24mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	107 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8 Dual
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	6636 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	500W (Tc)
Другие имена	742-SQJA36EP-T1_GE3DKR 742-SQJA36EP-T1_GE3TR 742-SQJA36EP-T1_GE3CT