Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
FDA59N30
MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
НОВА часть #:
312-2263378-FDA59N30
Производитель:
Номер детали производителя:
FDA59N30
Стандартный пакет:
450
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 300 V 59A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-3PN | |
| Базовый номер продукта | FDA59 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | UniFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 59A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 29.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 300 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4670 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-FDA59N30-OS FAIFSCFDA59N30 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDA59N25onsemi
BZT52C5V1S-7-FDiodes Incorporated
IRFP250NPBFInfineon Technologies
1N4148onsemi
IRFB4321PBFInfineon Technologies- BZT52C4V3S-7-FDiodes Incorporated
IXTQ52N30PIXYS- IXTQ82N25PIXYS
- IXTQ40N50L2IXYS
STGW60V60DFSTMicroelectronics- FDA70N20onsemi
- FDA69N25onsemi
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon Technologies
FDA38N30onsemi
