IPD80R280P7ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 800V 17A TO252

НОВА часть #:

312-2280503-IPD80R280P7ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPD80R280P7ATMA1

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Базовый номер продукта	IPD80R280
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	17A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 360µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Полевой транзистор	Super Junction
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	800 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1200 pF @ 500 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	101W (Tc)
Другие имена	IPD80R280P7ATMA1TR INFINFIPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1CT IPD80R280P7ATMA1DKR SP001422596 2156-IPD80R280P7ATMA1