FDB33N25TM

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

НОВА часть #:

312-2263224-FDB33N25TM

Производитель:

Номер детали производителя:

FDB33N25TM

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Базовый номер продукта	FDB33N25
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	UniFET™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	33A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	250 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2135 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	235W (Tc)
Другие имена	FDB33N25TMDKR 2156-FDB33N25TM-OS FAIFSCFDB33N25TM FDB33N25TMCT FDB33N25TMTR