IPA60R099C6XKSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP

НОВА часть #:

312-2263526-IPA60R099C6XKSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPA60R099C6XKSA1

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-FP
Базовый номер продукта	IPA60R099
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	37.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 1.21mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	119 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3 Full Pack
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	600 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2660 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	35W (Tc)
Другие имена	ROCINFIPA60R099C6XKSA1 IPA60R099C6 SP000658000 IPA60R099C6-ND 2156-IPA60R099C6XKSA1