IRFH8202TRPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN

НОВА часть #:

312-2294532-IRFH8202TRPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRFH8202TRPBF

Стандартный пакет:

4,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 25 V 47A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-PQFN (5x6)
Базовый номер продукта	IRFH8202
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®, StrongIRFET™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	47A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	25 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	7174 pF @ 13 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.6W (Ta), 160W (Tc)
Другие имена	IRFH8202TRPBFCT IRFH8202TRPBF-ND SP001572718 IRFH8202TRPBFTR IRFH8202TRPBFDKR