Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
RV8C010UNHZGG2CR
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
НОВА часть #:
312-2271647-RV8C010UNHZGG2CR
Производитель:
Номер детали производителя:
RV8C010UNHZGG2CR
Стандартный пакет:
8,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 20 V 1A (Ta) 1W Surface Mount DFN1010-3W
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DFN1010-3W | |
| Базовый номер продукта | RV8C010 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1A (Ta) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 500mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 40 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W | |
| Другие имена | 846-RV8C010UNHZGG2CRCT 846-RV8C010UNHZGG2CRDKR 846-RV8C010UNHZGG2CRTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PMH260UNEHNexperia USA Inc.
RV2C010UNT2LRohm Semiconductor
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.
DMN2320UFB4-7BDiodes Incorporated
MAX40007ANT+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
RV8L002SNHZGG2CRRohm Semiconductor- DMN2300UFB4-7BDiodes Incorporated
