RQ3E180AJTB

MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
НОВА часть #:
312-2263242-RQ3E180AJTB
Производитель:
Номер детали производителя:
RQ3E180AJTB
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

N-Channel 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительRohm Semiconductor
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика 8-HSMT (3.2x3)
Базовый номер продукта RQ3E180
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Ряд-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 18A (Ta), 30A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id 1.5V @ 11mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейс8-PowerVDFN
VGS (макс.)±12V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4290 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 30W (Tc)
Другие именаRQ3E180AJTBCT
RQ3E180AJTBDKR
RQ3E180AJTBTR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.