Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 30 V 13.1A (Tc) 32.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
Производитель | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | DPAK | |
Базовый номер продукта | PHD16 | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Ряд | TrenchMOS™ | |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13.1A (Tc) | |
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 13A, 10V | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V | |
Полевой транзистор | - | |
Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
VGS (макс.) | ±20V | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 180 pF @ 30 V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 32.6W (Tc) | |
Другие имена | 934057666118 PHD16N03T /T3 PHD16N03T /T3-ND |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.