IXTT3N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
НОВА часть #:
312-2279872-IXTT3N200P3HV
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTT3N200P3HV
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

N-Channel 2000 V 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXTT)

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительIXYS
RoHS 1
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика TO-268HV (IXTT)
Базовый номер продукта IXTT3
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядPolar P3™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)2000 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1860 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 520W (Tc)
Другие имена-IXTT3N200P3HV

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!