SI2369DS-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236

НОВА часть #:

312-2282399-SI2369DS-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI2369DS-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

P-Channel 30 V 7.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3 (TO-236)
Базовый номер продукта	SI2369
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	7.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1295 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Другие имена	SI2369DS-T1-GE3TR SI2369DS-T1-GE3DKR SI2369DS-T1-GE3CT