TPN4R806PL,L1Q

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON

НОВА часть #:

312-2281987-TPN4R806PL,L1Q

Производитель:

Номер детали производителя:

TPN4R806PL,L1Q

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	175°C
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-TSON Advance (3.1x3.1)
Базовый номер продукта	TPN4R806
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	U-MOSIX-H
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	72A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2770 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	630mW (Ta), 104W (Tc)
Другие имена	264-TPN4R806PLL1QTR 264-TPN4R806PLL1QCT 264-TPN4R806PLL1QDKR TPN4R806PL,L1Q(M