Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SCT10N120AG
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
НОВА часть #:
312-2264828-SCT10N120AG
Производитель:
Номер детали производителя:
SCT10N120AG
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | HiP247™ | |
| Базовый номер продукта | SCT10 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | +25V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 290 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | 497-SCT10N120AG |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IMW120R350M1HXKSA1Infineon Technologies
UF3C120400K3SUnitedSiC
SCT3160KLGC11Rohm Semiconductor
G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor
SCT20N120AGSTMicroelectronics
