Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
НОВА часть #:
312-2280484-IPB029N06N3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB029N06N3GATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 | |
| Базовый номер продукта | IPB029 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 118µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 13000 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 188W (Tc) | |
| Другие имена | IPB029N06N3G IPB029N06N3 GCT IPB029N06N3 G-ND IPB029N06N3GATMA1CT IPB029N06N3 GDKR-ND IPB029N06N3 GTR-ND IPB029N06N3GATMA1DKR IPB029N06N3 GCT-ND IPB029N06N3GATMA1TR IPB029N06N3 GDKR IPB029N06N3 G SP000453052 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFS3206TRRPBFInfineon Technologies
DMT68M8LSS-13Diodes Incorporated
